半導体設計

低温・低圧のレーザードーピングでCdTe結晶と電極を接合し、蒸着・フォトリソ・メッキを組み合わせてピクセル単位のデバイスを製造する。

• 低温プロセス結晶特性を劣化させる熱ダメージを排除し、CdTeの検出性能を維持する。
• 低圧接合繊細な半導体への機械的ストレスを抑え、割れ・変形を防止する。

チップレット実装

検出素子とASICという異なる半導体を接合し、1つのセンサとして機能させる実装技術。

• デバイスプロセス
  
  蒸着・フォトリソ・メッキ・レーザードーピングを活用したピクセルデバイス製造。
• ASIC開発・加工
  
  デバイス特性・実装構造を考慮した読出集積回路開発。裏面読出のためのTSV加工。
• 実装プロセス
  
  印刷・メッキを活用した20μmΦ以下のバンプ形成、および2.5D/3D実装。

カメラデバイス化

接合したセンサ・ASICをタイリングし、カメラデバイスとして組み上げる。タイリング技術により、同じ基本モジュールの組み合わせでサイズ違いの製品展開が可能になる。

評価・量産対応

センサ結晶から装置まで、多くの工程を自社で完結する（他社は主に購入・外注に依存）。試作・受託対応も自社で行う。写真はセンサ技術を応用した検査ロボットの実運用例（プラント配管への設置）。