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01 / Imaging

X선 이미지 센서

반도체 설계부터 칩렛 실장, 카메라 디바이스화까지 일관 개발합니다. 현행 CdTe PhotonCounting FPD를 기반으로, 타일링 기술을 통해 대면적화하는 사이즈 라인업 확장을 예정하고 있습니다.

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CdTe PhotonCounting FPD 본체와 X선 촬영 데모의 합성 이미지
PRODUCT · 01

CdTe PhotonCounting FPD

  • 센서CdTe
  • 검출 방식직접 변환 / 포톤 카운팅
  • 유효 촬상 영역115.2 x 115.2mm
  • 상태엔지니어링 샘플
CdTe PhotonCounting Line Sensor의 제품 이미지(3D 모델링)
PRODUCT · 02

CdTe PhotonCounting Line Sensor

  • 센서CdTe
  • 검출 방식직접 변환 / 포톤 카운팅
  • 상태개발 중
3D CMOS FPD의 적층 구조 이미지(격벽형 신틸레이터와 판독 CMOS의 적층)
PRODUCT · 03

3D CMOS FPD

  • 센서격벽형 GoS / 격벽형 CsI
  • 검출 방식간접 변환 / 축적
  • 상태개발 중
SERVICES

수탁 측정·수탁 촬영

CdTe PhotonCounting FPD 및 신틸레이터 방식 FPD를 이용한 수탁 측정에 대응합니다. 개발 중인 센서(3D CMOS 등)를 이용한 샘플 평가는 각 제품 페이지의 촬영 사례를 참조하십시오.

X선원·시료·검출기의 위치 관계와 투과상/CT 단면의 출력 예
  • 대응 검출 방식CdTe 직접 변환형·신틸레이터 방식 모두 대응
  • 용도비파괴 검사·재질 식별 등 기존 제품으로 대응 가능한 촬영 요구 전반
PROCESS

개발·제조 공정

검출기의 핵심인 반도체 설계부터 칩렛 실장, 카메라 디바이스로서의 완성까지. Imaging 제품을 만드는 공정을 자사 내에서 일관되게 수행함으로써 용도에 맞춘 사양 조정에 대응합니다.

01 / PROCESS

반도체 설계

레이저 도핑을 통한 접합 형성 단면도

저온·저압 레이저 도핑으로 CdTe 결정과 전극을 접합하고, 증착·포토리소그래피·도금을 조합하여 픽셀 단위의 디바이스를 제조합니다.

  • 저온 프로세스결정 특성을 열화시키는 열 손상을 배제하여 CdTe의 검출 성능을 유지합니다.
  • 저압 접합섬세한 반도체에 가해지는 기계적 스트레스를 억제하여 균열·변형을 방지합니다.
02 / PROCESS

칩렛 실장

검출 소자와 ASIC이라는 서로 다른 반도체를 접합하여 하나의 센서로 기능하게 하는 실장 기술.

  • 디바이스 프로세스
    금 플렉시블 기판이 사방으로 뻗은 센서 타일 실사진
    증착·포토리소그래피·도금·레이저 도핑을 활용한 픽셀 디바이스 제조.
  • ASIC 개발·가공
    판독 집적회로(ASIC)를 실장한 평가 기판 실사진범프 어레이 현미경 사진
    디바이스 특성·실장 구조를 고려한 판독 집적회로 개발. 뒷면 판독을 위한 TSV 가공.
  • 실장 프로세스
    Ag 페이스트 범프 접합부 단면 SEM 사진
    인쇄·도금을 활용한 20μmΦ 이하의 범프 형성 및 2.5D/3D 실장.
03 / PROCESS

카메라 디바이스화

CdTe PhotonCounting FPD 본체와 X선 촬영 데모의 합성 이미지

접합한 센서·ASIC을 타일링하여 카메라 디바이스로 조립합니다. 타일링 기술을 통해 동일한 기본 모듈의 조합으로 다양한 사이즈의 제품 전개가 가능해집니다.

04 / PROCESS

평가·양산 대응

플랜트 배관에 설치된 검사 로봇 실기 사진

센서 결정부터 장치까지 많은 공정을 자사에서 완결합니다(타사는 주로 구매·외주에 의존). 시제작·수탁 대응도 자사에서 수행합니다. 사진은 센서 기술을 응용한 검사 로봇의 실제 운용 사례(플랜트 배관 설치)입니다.

TECHNOLOGY

타일링

판독 회로의 신호를 TSV로 뒷면으로 빼내기 때문에, 모듈의 네 변을 맞대어 이음매를 거의 만들지 않고 배열할 수 있습니다. 동일한 기본 모듈의 배열 수를 바꾸는 것만으로 촬상면의 크기를 넓힐 수 있습니다.

가장자리에서 배선을 빼내는 일반적인 방식에서는 모듈 사이에 화소가 없는 띠가 생기는 반면, TSV로 뒷면에서 판독하는 방식에서는 네 변을 맞대어 배열할 수 있음을 보여주는 단면 및 상면 비교도
가장자리에서 배선을 빼내는 방식에서는 모듈 사이에 화소가 없는 띠가 생깁니다. 뒷면에서 판독하면 네 변을 맞대어 배열할 수 있습니다.

기술 상담·샘플 평가 문의

CdTe PhotonCounting FPD의 샘플 평가부터 로드맵 제품·커스터마이즈 상담까지 대응합니다.

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