IMAGING / 3D CMOS FPD
3D CMOS FPD개발 중
수광 소자와 신호 처리 회로를 각각 별도의 칩·별도의 공정으로 최적화한 뒤 적층하는 3D CMOS X선 이미지 센서. 화소별 격벽으로 신틸레이터의 빛을 가두어 미세한 구조까지 콘트라스트를 유지합니다.
PHOTO
제품 사진
※평가 기판에 실장한 개발기입니다.
SPECIFICATIONS
사양
| 명칭 | 3D CMOS FPD |
|---|---|
| 검출 방식 | 신틸레이터 + 3D 적층 CMOS(간접 변환) |
| 센서 두께 | 300μm |
| 유효 촬상 영역 | 약 205 x 205 mm |
| 픽셀 수 | 2048 x 2048 픽셀 |
| 픽셀 피치 | 100μm |
| 해상도 | 4.23 lp/mm(MTF 50%) |
| 최대 프레임 레이트 | 150 fps |
| 비트 심도 | 14 bit |
| 최소 검출 에너지 | — |
| 동작 모드 | 저게인 모드 / 고게인 모드 |
| 셔터 방식 | 글로벌 셔터 |
| 통신 방식 | Camera Link x 2 / GbE(GbE는 동작 속도에 제약 있음) |
| 전원 | 24V DC |
| 외형 치수 | — |
| 중량 | — |
| 동작 온도 | 40℃ 이하(결로 없을 것) |
TECHNOLOGY
기술 상세
STRUCTURE
각각 최적화한 뒤 적층
수광 소자(포토다이오드)와 신호 처리 ASIC은 최적의 재료·공정이 전혀 다릅니다. 각각을 전용 공정으로 제작하고 플립칩 접합으로 하나의 센서로 만듭니다. 배선은 RDL(재배선층)로 라우팅하며, 전기적 연결에 TSV는 사용하지 않습니다. 신틸레이터는 용도에 맞춰 GOS(산업·비파괴 검사) 또는 CsI(의료)를 선택합니다.
ISOLATION
격벽 구조를 통한 광 크로스토크 억제
기판 뒷면에 가공한 홀 어레이에 신틸레이터를 충전하여 화소별 격벽으로 만듭니다. 외주부의 링 구조와 병용하면 빛이 인접 화소로 새어 나가는 현상이 거의 사라집니다.
RESOLUTION
고주파에서도 콘트라스트 유지
격벽으로 빛의 확산을 억제하기 때문에, 미세한 구조에 해당하는 높은 공간 주파수에서도 콘트라스트가 쉽게 떨어지지 않습니다. RQA5 조건의 실측에서 MTF가 50%가 되는 공간 주파수는 4.23 lp/mm입니다. 신틸레이터를 균일한 시트로 올리는 기존 TFT 방식(1.60 lp/mm)이나 CMOS 방식(1.24 lp/mm)을 크게 웃돕니다.
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