半导体设计

通过低温、低压的激光掺杂将CdTe晶体与电极接合，并结合蒸镀、光刻、电镀工艺制造以像素为单位的器件。

• 低温工艺消除导致晶体特性劣化的热损伤，保持CdTe的检测性能。
• 低压接合抑制对精密半导体的机械应力，防止开裂和变形。

芯粒封装

将检测元件与ASIC这两种不同的半导体接合，使其作为一个传感器发挥功能的封装技术。

• 器件工艺
  
  运用蒸镀、光刻、电镀、激光掺杂工艺制造像素器件。
• ASIC开发・加工
  
  考虑器件特性与封装结构的读出集成电路开发。用于背面读出的TSV加工。
• 封装工艺
  
  运用印刷、电镀形成20μmΦ以下的凸点，以及2.5D/3D封装。

相机设备化

将接合后的传感器与ASIC进行拼接，组装成相机设备。借助拼接技术，通过组合同一基本模块即可推出不同尺寸的产品。

评估・量产支持

从传感器晶体到设备，众多工序均由公司内部完成（其他公司主要依赖采购和外包）。试制及委托业务也由公司自行承接。照片为应用传感器技术的检测机器人实际运行案例（安装于工厂管道）。