CdTe PhotonCounting FPD엔지니어링 샘플
개별 X선 광자를 계수하고 에너지 정보를 유지한 채 영상화하는 직접 변환형 CdTe 포톤 카운팅 센서. 산란선으로 인한 번짐이 없어 비파괴 검사부터 학술 연구까지 미세 구조를 선명하게 가시화합니다.
제품 사진
대면적화 로드맵
현행 CdTe PhotonCounting FPD(유효 촬상 영역 115.2 x 115.2mm)를 기반으로 타일링 기술을 통해 단계적으로 대면적화합니다.
15 x 15 cm
20 x 20 cm
40 x 40 cm
※제품 이미지(3D 모델링). 크기 비율과 모듈 구성은 실제 계획과 다릅니다. 크기·시기는 현시점의 계획이며 변경될 수 있습니다.
사양
| 명칭 | CdTe PhotonCounting FPD(약칭: CdTe FPD) |
|---|---|
| 검출 방식 | 직접 변환형 CdTe 포톤 카운팅 센서 |
| 센서 두께 | 750μm／1000μm |
| 유효 촬상 영역 | 115.2 x 115.2 mm |
| 픽셀 수 | 1152 x 1152 픽셀 |
| 픽셀 피치 | 100μm(2band 모드)／200μm(8band 모드) |
| 해상도 | 5 lp/mm(2band 모드) |
| 최대 프레임 레이트 | 60fps |
| 비트 심도 | 16 bit |
| 에너지 분해능 | 15단계 |
| 동시 측정 가능한 에너지 bin 수 | 2 bin(100μm 피치)／8 bin(200μm 피치) |
| 계수 속도 | 2band／8band 각: 5×10⁵ cps, 포톤 카운팅: 1×10⁶ cps, 디지털 에너지 적산: 1×10⁷ cps 상당 |
| 최소 검출 에너지 | 12.5 keV |
| 동작 모드 | 2band／8band／카운팅／디지털 에너지 적산 |
| 셔터 방식 | 글로벌 셔터 |
| 통신 방식 | Camera Link(Medium configuration, SDR 커넥터)／USB3.0·GbE로 변환 가능 |
| 전원 | 24V DC／5A |
| 외형 치수 | (W)350 x (D)300 x (H)63 mm |
| 중량 | 커스터마이즈에 따라 상이 |
| 동작 온도 | 0~30℃(결로 없을 것) |
촬상 사례
본 센서를 이용한 실제 촬상·실측 결과의 일부.
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기술 상세
검출 원리와 구조
X선을 빛으로 바꾸지 않고 CdTe 결정 내에서 직접 전하로 변환합니다. 검출 소자와 판독 회로를 적층한 모듈을 배열하여 촬상면을 구성합니다.
해상도 비교
산란광으로 인한 번짐이 없는 직접 변환 방식이므로 가는 선까지 분리되어 촬영됩니다. 동일한 선량 조건에서의 해상도 차트 투과상과 RQA5~8(관전압 조건)에서의 MTF 실측값으로 기존 방식과 비교합니다.
해상도 차트의 3.0~5.0 lp/mm 영역. 포톤 카운팅(왼쪽)은 5.0 lp/mm까지 선이 분리되어 촬영되는 데 비해, 기존 기술(오른쪽)은 선이 뭉개져 띠 모양으로 촬영됩니다.
MTF 실측값. CMOS 방식(Full resolution) 대비 전 대역에서 ANSeeN CdTe FPD가 우수합니다.
타일링을 통한 유연한 크기 대응
판독 회로의 신호를 TSV로 뒷면으로 빼내므로 모듈의 네 변을 맞대어 이음매를 거의 만들지 않고 배열할 수 있습니다. 동일한 기본 모듈의 배열 수만 바꾸면 촬상면의 크기를 넓힐 수 있습니다.
관련 특허
CdTe 검출 소자·포톤 카운팅 회로·적층과 타일링에 관한 자사 특허. 발명별로 각국의 등록 공보 및 공개 공보 번호를 표시합니다.
| 기술 | 발명 | 등록 | 공개 |
|---|---|---|---|
| CdTe 검출 소자 | 방사선 검출 소자의 제조 방법CdTe 결정을 이용한 검출 소자의 제조 방법 | JP6781868B | — |
| 방사선 검출 소자의 제조 방법, 방사선 검출 소자 및 이를 포함하는 방사선 검출기CdTe 등의 반도체 결정을 이용한 검출 소자와 그 제조 방법 | JP6758618B | — | |
| 포톤 카운팅 회로·화소 | 전하 검출 회로 및 이를 포함하는 방사선 검출 장치신호를 판독하는 전하 검출 회로 | JP6969734B | — |
| 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 촬상 장치X선 스펙트럼을 취득하기 위한 화소 배치·센서 구조 | JP7201195BKR102807149BTWI806202B | CN114868042EP4071519US2023341571WO2022113170 | |
| 방사선 촬상 장치회로의 소비 전력을 억제하는 화소 구동 트리거 회로 | JP7534739BKR102899421BTWI818339B | CN116390690US2024004092WO2022102095 | |
| 방사선 이미지 센서포톤 카운팅 방식과 적분 방식을 동일한 회로로 구현 | JP7477825BKR102790266B | US2023204799WO2021199195 | |
| 적층·타일링 | 방사선 촬상 장치모듈을 배열하여 대면적화하는 타일링 구조에서의 통신 | JP7239125BKR102741153B | US2023008884WO2022074732 |
| 방사선 촬상 장치모듈 간 데드 스페이스를 줄이는 배열과 기판 접속 구조 | JP7614592BKR102899416B | US2023378229WO2022074733 | |
| 방사선 촬상 장치검출 소자 블록의 배열과 범프 전극을 통한 적층·접속 | JP7534743BTWI826931B | CN117042694EP4289360KR20230136198US2024145521WO2022190321 |
※2026년 5월 시점의 자사 특허 데이터에서 추출. 등록은 등록 공보(B), 공개는 공개 공보의 번호. 각국의 심사 상황은 변경될 수 있습니다.
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