半導體設計

以低溫・低壓的雷射摻雜接合CdTe晶體與電極，並結合蒸鍍・微影・電鍍，製造以像素為單位的元件。

• 低溫製程排除會劣化晶體特性的熱損傷，維持CdTe的偵測性能。
• 低壓接合抑制對脆弱半導體的機械應力，防止破裂與變形。

小晶片封裝

接合偵測元件與ASIC這兩種不同的半導體，使其作為單一感測器運作的封裝技術。

• 元件製程
  
  運用蒸鍍・微影・電鍍・雷射摻雜製造像素元件。
• ASIC開發・加工
  
  考量元件特性與封裝結構的讀出積體電路開發。背面讀出所需的TSV加工。
• 封裝製程
  
  運用印刷・電鍍形成20μmΦ以下的凸塊，以及2.5D/3D封裝。

相機裝置化

將接合後的感測器・ASIC進行拼接，組裝成相機裝置。透過拼接技術，可利用相同基本模組的組合，推出不同尺寸的產品。

評估・量產對應

從感測器晶體到設備，多數工序皆由公司內部完成（其他公司主要仰賴採購・外包）。試作與委託服務亦由公司內部執行。照片為應用感測器技術之檢測機器人的實際運用案例（安裝於廠區管線）。