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IMAGING / 3D CMOS FPD

3D CMOS FPD开发中

将光电接收元件与信号处理电路分别以独立芯片、独立工艺进行优化后再堆叠的3D CMOS X射线图像传感器。通过逐像素隔壁将闪烁体发出的光限制在像素内,即使是细微结构也能保持对比度。

PHOTO

产品照片

※安装在评估板上的开发样机。

SPECIFICATIONS

规格

名称3D CMOS FPD
探测方式闪烁体+3D堆叠CMOS(间接转换)
传感器厚度300μm
有效成像区域约205 x 205 mm
像素数2048 x 2048 像素
像素间距100μm
分辨率4.23 lp/mm(MTF 50%)
最大帧率150 fps
位深14 bit
最低探测能量—
工作模式低增益模式/高增益模式
快门方式全局快门
通信方式Camera Link x 2/GbE(GbE的运行速度受限)
电源24V DC
外形尺寸—
重量—
工作温度40℃以下(无结露)
TECHNOLOGY

技术详情

STRUCTURE

分别优化,再行堆叠

光电接收元件(光电二极管)与信号处理ASIC所适用的材料和工艺截然不同。二者分别采用专用工艺制造,再通过倒装芯片键合集成为一个传感器。布线通过RDL(重布线层)引出,电气连接不使用TSV。闪烁体可根据用途选择GOS(工业・无损检测)或CsI(医疗)。

ISOLATION

利用隔壁结构抑制光串扰

在基板背面刻蚀出孔阵列并填充闪烁体,形成逐像素隔壁。结合外周环形结构,几乎可完全避免光泄漏至相邻像素。

RESOLUTION

高频下仍保持对比度

隔壁抑制了光的扩散,因此即使在对应细微结构的高空间频率下,对比度也不易下降。在RQA5条件下实测,MTF为50%时的空间频率为4.23 lp/mm,大幅超越以均匀片状闪烁体覆盖的传统TFT方式(1.60 lp/mm)和CMOS方式(1.24 lp/mm)。

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