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IMAGING / 3D CMOS FPD

3D CMOS FPD開發中

將受光元件與訊號處理電路分別以不同晶片、不同製程最佳化後再堆疊而成的3D CMOS X光影像感測器。以各畫素的隔壁封閉閃爍體的光,即使是細微結構也能保持對比度。

PHOTO

產品照片

※安裝於評估板上的開發機。

SPECIFICATIONS

規格

名稱3D CMOS FPD
偵測方式閃爍體+3D堆疊CMOS(間接轉換)
感測器厚度300μm
有效成像區域約205 x 205 mm
畫素數2048 x 2048 畫素
畫素間距100μm
解析度4.23 lp/mm(MTF 50%)
最大影格率150 fps
位元深度14 bit
最低偵測能量—
運作模式低增益模式/高增益模式
快門方式全域快門
通訊方式Camera Link x 2/GbE(GbE的運作速度有所限制)
電源24V DC
外部尺寸—
重量—
運作溫度40℃以下(無結露)
TECHNOLOGY

技術細節

STRUCTURE

分別最佳化,再行堆疊

受光元件(光二極體)與訊號處理ASIC所適合的材料與製程截然不同。我們以各自專用的製程分別製作,再以覆晶接合整合為一顆感測器。配線透過RDL(重分佈層)佈線,電氣連接不使用TSV。閃爍體可依用途選擇GOS(工業・非破壞檢測)或CsI(醫療)。

ISOLATION

以隔壁結構抑制光串擾

在基板背面蝕刻出的孔洞陣列中填充閃爍體,形成各畫素的隔壁。搭配外圍的環狀結構,光幾乎不會洩漏至相鄰畫素。

RESOLUTION

高頻下仍保持對比度

由於隔壁抑制了光的擴散,即使在對應細微結構的高空間頻率下,對比度也不易下降。在RQA5條件下實測,MTF達50%時的空間頻率為4.23 lp/mm,大幅超越以均勻薄片承載閃爍體的傳統TFT方式(1.60 lp/mm)及CMOS方式(1.24 lp/mm)。

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