IMAGING / CdTe PhotonCounting FPD
CdTe PhotonCounting FPD工程样品
直接转换型CdTe光子计数传感器，可逐个计数X射线光子，并在保留能量信息的同时成像。无散射线引起的模糊，从无损检测到学术研究，均可清晰呈现微细结构。
PHOTO
产品照片
LINEUP
大面积化路线图
以现行CdTe PhotonCounting FPD（有效成像区域115.2 x 115.2mm）为基础，通过拼接技术逐步实现大面积化。
2029年
15 x 15 cm
2030年
20 x 20 cm
2032年
40 x 40 cm
※产品效果图（3D建模）。尺寸比例和模块构成与实际计划不同。尺寸和时间为目前的计划，可能会有变更。
SPECIFICATIONS
规格
| 名称 | CdTe PhotonCounting FPD（简称：CdTe FPD） |
|---|---|
| 探测方式 | 直接转换型 CdTe 光子计数传感器 |
| 传感器厚度 | 750μm／1000μm |
| 有效成像区域 | 115.2 x 115.2 mm |
| 像素数 | 1152 x 1152 像素 |
| 像素间距 | 100μm（2band模式）／200μm（8band模式） |
| 分辨率 | 5 lp/mm（2band模式） |
| 最大帧率 | 60fps |
| 位深 | 16 bit |
| 能量分辨率 | 15级 |
| 可同时测量的能量bin数 | 2 bin（100μm间距）／8 bin（200μm间距） |
| 计数率 | 2band／8band各：5×10⁵ cps，光子计数：1×10⁶ cps，数字能量积分：相当于1×10⁷ cps |
| 最低探测能量 | 12.5 keV |
| 工作模式 | 2band／8band／计数／数字能量积分 |
| 快门方式 | 全局快门 |
| 通信方式 | Camera Link（Medium configuration，SDR连接器）／可转换为USB3.0・GbE |
| 电源 | 24V DC／5A |
| 外形尺寸 | (W)350 x (D)300 x (H)63 mm |
| 重量 | 视定制而定 |
| 工作温度 | 0〜30℃（无凝露） |
IMAGING EXAMPLES
成像案例
本传感器的部分实际成像与实测结果。
点击图片放大→ 查看更多成像案例（图库）
TECHNOLOGY
技术详情
STRUCTURE
探测原理与结构
不将X射线转换为光，而是在CdTe晶体内直接转换为电荷。将探测元件与读出电路层叠而成的模块进行排列，构成成像面。
RESOLUTION
分辨率对比
采用无散射光模糊的直接转换方式，细线也能清晰分辨成像。通过相同剂量条件下分辨率测试卡的透射图像，以及RQA5〜8（管电压条件）下的MTF实测值，与传统方式进行对比。
分辨率测试卡3.0〜5.0 lp/mm区域。光子计数（左）可将线条分辨至5.0 lp/mm，而传统技术（右）的线条模糊成带状。
MTF实测值。与CMOS方式（Full resolution）相比，ANSeeN CdTe FPD在全频段均表现更优。
SCALING
拼接实现灵活的尺寸适配
读出电路的信号通过TSV引至背面，因此模块四边可相互对接，几乎无接缝地排列。只需改变相同基础模块的排列数量，即可扩大成像面尺寸。
PATENTS
相关专利
涉及CdTe探测元件、光子计数电路以及层叠与拼接的自有专利。按发明列出各国授权公告与公开公告的编号。
| 技术 | 发明 | 授权 | 公开 |
|---|---|---|---|
| CdTe探测元件 | 辐射探测元件的制造方法使用CdTe晶体的探测元件制造方法 | JP6781868B | — |
| 辐射探测元件的制造方法、辐射探测元件及包含该元件的辐射探测器使用CdTe等半导体晶体的探测元件及其制造方法 | JP6758618B | — | |
| 光子计数电路与像素 | 电荷检测电路及包含该电路的辐射探测装置读出信号的电荷检测电路 | JP6969734B | — |
| 辐射探测器及包含该探测器的辐射成像装置用于获取X射线能谱的像素布局与传感器结构 | JP7201195BKR102807149BTWI806202B | CN114868042EP4071519US2023341571WO2022113170 | |
| 辐射成像装置降低电路功耗的像素驱动触发电路 | JP7534739BKR102899421BTWI818339B | CN116390690US2024004092WO2022102095 | |
| 辐射图像传感器以同一电路实现光子计数方式与积分方式 | JP7477825BKR102790266B | US2023204799WO2021199195 | |
| 层叠与拼接 | 辐射成像装置排列模块实现大面积化的拼接结构中的通信 | JP7239125BKR102741153B | US2023008884WO2022074732 |
| 辐射成像装置减少模块间死区的排列方式与基板连接结构 | JP7614592BKR102899416B | US2023378229WO2022074733 | |
| 辐射成像装置探测元件模块的排列，以及基于凸点电极的层叠与连接 | JP7534743BTWI826931B | CN117042694EP4289360KR20230136198US2024145521WO2022190321 |
※摘自截至2026年5月的自有专利数据。授权为授权公告（B）编号，公开为公开公告编号。各国审查状态可能发生变化。
BLOG
相关文章
ANSeeN株式会社（ANSeeN Inc.） ／ TEL: 053-522-7708 ／ 联系我们: https://anseen.com/contact/