IMAGING / CdTe PhotonCounting FPD
CdTe PhotonCounting FPD工程樣品
逐一計數個別X光光子，並在保留能量資訊的狀態下成像的直接轉換型CdTe光子計數感測器。無散射線造成的模糊，從非破壞檢測到學術研究，皆能清晰呈現微細結構。
PHOTO
產品照片
LINEUP
大面積化路線圖
以現行的CdTe PhotonCounting FPD（有效成像區域115.2 x 115.2mm）為基礎，透過拼接技術逐步擴大面積。
2029年
15 x 15 cm
2030年
20 x 20 cm
2032年
40 x 40 cm
※產品示意圖（3D建模）。尺寸比例與模組構成與實際計畫不同。尺寸與時程為現階段計畫，可能有所變更。
SPECIFICATIONS
規格
| 名稱 | CdTe PhotonCounting FPD（簡稱：CdTe FPD） |
|---|---|
| 檢測方式 | 直接轉換型 CdTe 光子計數感測器 |
| 感測器厚度 | 750μm／1000μm |
| 有效成像區域 | 115.2 x 115.2 mm |
| 像素數 | 1152 x 1152 像素 |
| 像素間距 | 100μm（2band模式）／200μm（8band模式） |
| 解析度 | 5 lp/mm（2band模式） |
| 最大影格率 | 60fps |
| 位元深度 | 16 bit |
| 能量解析度 | 15階 |
| 可同時量測的能量bin數 | 2 bin（100μm間距）／8 bin（200μm間距） |
| 計數速率 | 2band／8band各：5×10⁵ cps、光子計數：1×10⁶ cps、數位能量積分：相當於1×10⁷ cps |
| 最低檢測能量 | 12.5 keV |
| 運作模式 | 2band／8band／計數／數位能量積分 |
| 快門方式 | 全域快門 |
| 通訊方式 | Camera Link（Medium configuration，SDR連接器）／可轉換為USB3.0・GbE |
| 電源 | 24V DC／5A |
| 外部尺寸 | (W)350 x (D)300 x (H)63 mm |
| 重量 | 依客製化而定 |
| 運作溫度 | 0〜30℃（無結露） |
IMAGING EXAMPLES
成像案例
本感測器的部分實際成像與實測結果。
點擊圖片即可放大→ 查看更多成像案例（圖庫）
TECHNOLOGY
技術細節
STRUCTURE
檢測原理與結構
不將X光轉換為光，而是在CdTe晶體中直接轉換為電荷。將檢測元件與讀出電路堆疊而成的模組加以排列，構成成像面。
RESOLUTION
解析度比較
採用無散射光模糊的直接轉換方式，連細線都能分離呈現。以相同劑量條件下解析度測試卡的穿透影像，以及RQA5〜8（管電壓條件）下的MTF實測值，與傳統方式進行比較。
解析度測試卡的3.0〜5.0 lp/mm區域。光子計數（左）可將線條分離呈現至5.0 lp/mm，傳統技術（右）則線條糊成帶狀。
MTF實測值。相較於CMOS方式（Full resolution），ANSeeN CdTe FPD在全頻段皆更優異。
SCALING
透過拼接彈性對應各種尺寸
讀出電路的訊號經由TSV引至背面，因此模組四邊可相互對接，幾乎無接縫地排列。只需改變相同基本模組的排列數量，即可擴大成像面尺寸。
PATENTS
相關專利
與CdTe檢測元件、光子計數電路、堆疊及拼接相關的自有專利。依各項發明列出各國的核准公報與公開公報編號。
| 技術 | 發明 | 核准 | 公開 |
|---|---|---|---|
| CdTe檢測元件 | 放射線檢測元件之製造方法使用CdTe晶體之檢測元件的製造方法 | JP6781868B | — |
| 放射線檢測元件之製造方法、放射線檢測元件，及包含其之放射線檢測器使用CdTe等半導體晶體的檢測元件及其製造方法 | JP6758618B | — | |
| 光子計數電路・像素 | 電荷檢測電路及包含其之放射線檢測裝置讀出訊號的電荷檢測電路 | JP6969734B | — |
| 放射線檢測器及包含其之放射線成像裝置用於取得X光能譜的像素配置與感測器結構 | JP7201195BKR102807149BTWI806202B | CN114868042EP4071519US2023341571WO2022113170 | |
| 放射線成像裝置抑制電路功耗的像素驅動觸發電路 | JP7534739BKR102899421BTWI818339B | CN116390690US2024004092WO2022102095 | |
| 放射線影像感測器以同一電路實現光子計數方式與積分方式 | JP7477825BKR102790266B | US2023204799WO2021199195 | |
| 堆疊・拼接 | 放射線成像裝置排列模組以實現大面積化之拼接結構中的通訊 | JP7239125BKR102741153B | US2023008884WO2022074732 |
| 放射線成像裝置減少模組間無效區域的排列與基板連接結構 | JP7614592BKR102899416B | US2023378229WO2022074733 | |
| 放射線成像裝置檢測元件區塊的排列，以及以凸塊電極進行的堆疊與連接 | JP7534743BTWI826931B | CN117042694EP4289360KR20230136198US2024145521WO2022190321 |
※擷取自2026年5月時的自有專利資料。核准為核准公報（B）編號，公開為公開公報編號。各國審查狀態可能有所變動。
BLOG
相關文章
ANSeeN株式會社（ANSeeN Inc.） ／ TEL: 053-522-7708 ／ 聯絡我們: https://anseen.com/contact/