测量环境
X射线管：150kV 66uA FOD：35mm FID：600mm 探测器像素尺寸：CMOS 75um、CdTe 100um
测量对象
带划痕的焊球0.6mm（锡63% 铅37%）
轴承球1.0mm（SUS304）
带划痕的焊球 0.6mm
| CMOS | CdTe |
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轴承球 1.0mm
| CMOS | CdTe |
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BLOG / 案例
CdTe 与 CMOS 的 CT 对比
使用 CdTe FPD 与 CMOS 对同一样品进行 CT 成像，并对比所得图像。
使用 CdTe FPD 与 CMOS 对同一样品进行 CT 成像，并对比所得图像。
测量环境
X射线管：150kV 66uA FOD：35mm FID：600mm 探测器像素尺寸：CMOS 75um、CdTe 100um
测量对象
带划痕的焊球0.6mm（锡63% 铅37%）
轴承球1.0mm（SUS304）
带划痕的焊球 0.6mm
| CMOS | CdTe |
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轴承球 1.0mm
| CMOS | CdTe |
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