量測環境
X光管：150kV 66uA FOD：35mm FID：600mm 檢測器像素尺寸：CMOS 75um、CdTe 100um
量測對象
帶刮痕的錫球0.6mm（錫63% 鉛37%）
軸承鋼珠1.0mm（SUS304）
帶刮痕的錫球 0.6mm
| CMOS | CdTe |
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軸承鋼珠 1.0mm
| CMOS | CdTe |
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BLOG / 應用案例
CdTe 與 CMOS 的 CT 比較
以 CdTe FPD 與 CMOS 對同一試樣進行 CT 拍攝，並比較所得影像。
以 CdTe FPD 與 CMOS 對同一試樣進行 CT 拍攝，並比較所得影像。
量測環境
X光管：150kV 66uA FOD：35mm FID：600mm 檢測器像素尺寸：CMOS 75um、CdTe 100um
量測對象
帶刮痕的錫球0.6mm（錫63% 鉛37%）
軸承鋼珠1.0mm（SUS304）
帶刮痕的錫球 0.6mm
| CMOS | CdTe |
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軸承鋼珠 1.0mm
| CMOS | CdTe |
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